Open Daily: 10am - 10pm | Alley door pickup 10am - 7pm 3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
612-822-4611

  • Open Daily: 10am - 10pm
    Alley-side Pickup: 10am - 7pm

    3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
    612-822-4611

Open Daily: 10am - 10pm | Alley-side Pickup: 10am - 7pm
3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
612-822-4611
Transistor Mosfet Nanométrique

Transistor Mosfet Nanométrique

Collectif

Paperback

Series: Omn.Univ.Europ.

Literary CriticismTechnology & Engineering

ISBN10: 6131552029
ISBN13: 9786131552021
Publisher: Ed Universitaires Europeennes
Published: Feb 28 2018
Pages: 100
Weight: 0.35
Height: 0.24 Width: 5.98 Depth: 9.02
Language: French
La diminution soutenue des dimensions du transistor accélère la rencontre de la microélectronique avec la mécanique quantique et d'autres lois régissent désormais le transport des électrons. La simulation des composants microélectroniques a donc besoin de nouvelles théories et techniques de modélisation améliorant la compréhension physique des dispositifs de taille nanométrique. Ce livre présente le principe des techniques évolutionnaires (GA, PSO, ...) et leurs applications dans le domaine de la modélisation des composants nanoélectroniques. Le manuscrit donne les bases nécessaires à la compréhension des GAs et l'optimisation par PSO. Il présente l'état de l'art des travaux récemment publiés et les plus significatifs dans le domaine de la modélisation compacte du transistor à double-grilles et leurs limites de validité, et expose ensuite l'approche de la modélisation numérique du DG MOSFET aux dimensions ultimes basée sur le formalisme des fonctions de Green hors-équilibre (NEGF). Finalement, des nouveaux modèles analytiques optimisés qui permettent d'étudier le comportement du transistor DG MOSFET nanométrique sont développés en utilisant les techniques évolutionnaires.

Also in

Technology & Engineering

View All