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CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit

CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 6208331986
ISBN13: 9786208331986
Publisher: Verlag Unser Wissen
Published: Nov 29 2024
Pages: 88
Weight: 0.31
Height: 0.21 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: German
In dieser Arbeit wird die neuartige einseitige 5T- und 6T-SRAM-Zelle vorgestellt. Dieser Transistor ist eine Zelle mit hoher Dichte oder nimmt weniger Fläche ein als eine herkömmliche 6T-SRAM-Zelle. Der Leckstrom dieser Zelle ist im Vergleich zu anderen 5T- oder herkömmlichen 6T-Zellen sehr niedrig. Für diese Zelle ist wie bei einer herkömmlichen 6T-SRAM-Zelle eine Vorladeschaltung erforderlich. Diese Zelle ist au erdem energieeffizient. Die Ergebnisse zeigen au erdem, dass die in dieser Zelle gespeicherten Daten äu erst stabil sind. Bei jeder Art von Schaltkreis oder Anwendung gibt es immer Raum für Verbesserungen. Mit der vorgeschlagenen Konfiguration können wir sie mit verschiedenen Techniken verbessern. Wir können das Seitenverhältnis der Zelle ändern, um bessere Ergebnisse zu erzielen. Wir können Taktgatter für einen energieeffizienten Schaltkreis anwenden. Wir können den Peripherieschaltkreis für eine bessere Leistung verbessern.

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