• Open Daily: 10am - 10pm
    Alley-side Pickup: 10am - 7pm

    3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
    612-822-4611

Open Daily: 10am - 10pm | Alley-side Pickup: 10am - 7pm
3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
612-822-4611
Kristallwachstum und -charakterisierung

Kristallwachstum und -charakterisierung

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 6208597897
ISBN13: 9786208597894
Publisher: Verlag Unser Wissen
Published: Jan 29 2025
Pages: 60
Weight: 0.21
Height: 0.14 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: German
Das Aufwachsen eines Halbleiters auf einem anderen ist als Heteroepitaxie-Verfahren bekannt, das die Herstellung einer breiten Palette von so genannten heteroepitaktischen Bauelementen ermöglicht, wie z. B. Leuchtdioden mit hoher Helligkeit, Laser und Hochfrequenztransistoren. Die Entwicklung von Bauelementen aus anderen Materialien beruht auf der Wahl des Substrats und wird durch die Kombination Epitaxieschicht/Substrat dargestellt. Diese Kombination erfordert ein Höchstma an chemischer und kristallografischer Kompatibilität, wobei die kristallografische Orientierung der Schicht genau durch den Substratkristall bestimmt wird. Die Oberflächenstruktur des Substratkristalls kann einen wichtigen Einfluss auf die Eigenschaften des epitaktischen Kristalls haben. Andererseits unterscheidet sich die Homoepitaxie von der Heteroepitaxie, wenn Substrat und Schicht die gleiche chemische Zusammensetzung haben, wie z. B. GaAs/GaAs, und wir sprechen von Heteroepitaxie, wenn die Schicht und das Substrat eine unterschiedliche chemische Zusammensetzung haben, wie z. B. InP/GaAs. Diese Materialien werden zur Herstellung von hochwertigen LEDs und Transistoren mit hoher Mobilität verwendet.

Also from

Benzian, Abdelkader

Also in

Technology & Engineering