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Studiare le caratteristiche della nanostruttura di silicio preparata mediante PEC

Studiare le caratteristiche della nanostruttura di silicio preparata mediante PEC

Mohammed Jawad, Muna

Paperback

Chemistry

ISBN10: 6209312012
ISBN13: 9786209312014
Publisher: Edizioni Sapienza
Published: Nov 30 2025
Pages: 116
Weight: 0.36
Height: 0.28 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Italian
In questo lavoro, lo strato di silicio poroso (PS) nanostrutturato è stato fabbricato mediante (PEC) utilizzando un diodo laser a 650 nm a diverse densità di potenza di illuminazione per un substrato di silicio di tipo n con resistività (10 Ω.cm) e HF del 48,5% ed etanolo (99%) (1:1). Sono state studiate le proprietà morfologiche, ottiche ed elettriche. Queste caratteristiche sono state studiate utilizzando il nostro modello matematico che rappresenta le proprietà elettriche. Le proprietà elettriche dello strato di silicio poroso sono classificate in base alle proprietà strutturali e dimostriamo che le proprietà elettriche dipendono dalla permittività relativa come classificato. Si osservi che a bassa densità di potenza la caratteristica J-v appare non rettificante e il silicio poroso si comporta come un contatto ohmico, mentre ad alta densità di potenza del laser si produce una giunzione rettificante, che si comporta come un contatto ohmico, e un tempo di incisione elevato che si comporta come una giunzione (schottky), mentre a (200 mW/cm2) la giunzione si comporta come un diodo (etrojunzione).

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