• Open Daily: 10am - 10pm
    Alley-side Pickup: 10am - 7pm

    3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
    612-822-4611

Open Daily: 10am - 10pm | Alley-side Pickup: 10am - 7pm
3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
612-822-4611
Badanie wlaściwości optoelektronicznych stopów HfxSi1-xO2

Badanie wlaściwości optoelektronicznych stopów HfxSi1-xO2

Paperback

General Law

ISBN10: 6208969050
ISBN13: 9786208969059
Publisher: Wydawnictwo Nasza Wiedza
Published: Jun 17 2025
Pages: 68
Weight: 0.23
Height: 0.16 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Polish
W niniejszej pracy zbadaliśmy stabilnośc dynamiczną, wlaściwości strukturalne, elektroniczne i termoelektryczne stopów typu HfxSi1-xO2, stosując metodę liniaryzowanych fal plaskich o calkowitym potencjale (FP-LAPW) w ramach teorii funkcjonalu gęstości (DFT) zaimplementowanej w kodzie Wien2k. Potencjal wymiany i korelacji byl traktowany przy użyciu różnych aproksymacji, takich jak GGA. Uzyskane wyniki elektroniczne wykazaly, że HfSi3O8 ma charakter pólprzewodnika z bezpośrednią przerwą energetyczną równą 3,909 eV, przy użyciu aproksymacji GGA. W przypadku związków HfSiO4 i Hf3SiO8 wyniki badania struktury pasmowej wskazują, że oba związki są pólprzewodnikami z pośrednią przerwą energetyczną o wartościach prognozowanych wynoszących odpowiednio 7,2 eV i 5,2 eV dla HfSiO4 i Hf3SiO8. Uzyskane wlaściwości termoelektryczne i stabilnośc dynamiczna wskazują, że związki te są bardzo sztywne, nieodksztalcalne i silnie uporządkowane.

Also in

General Law