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Modélisation de la Mobilité Des Électrons Dans Les Semiconducteurs

Modélisation de la Mobilité Des Électrons Dans Les Semiconducteurs

Paperback

Series: Omn.Univ.Europ.

Business GeneralLiterary CriticismTechnology & Engineering

ISBN10: 6131551391
ISBN13: 9786131551390
Publisher: Ed Universitaires Europeennes
Published: Feb 28 2018
Pages: 88
Weight: 0.31
Height: 0.21 Width: 5.98 Depth: 9.02
Language: French
Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants électroniques, permet d'atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d'azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent ètre utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires.

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