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Entwicklung, Design und Analyse von Typ-II-Nanosystemen mit Hetero-Spannung

Entwicklung, Design und Analyse von Typ-II-Nanosystemen mit Hetero-Spannung

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 6209423841
ISBN13: 9786209423840
Publisher: Verlag Unser Wissen
Published: Jan 13 2026
Pages: 132
Weight: 0.41
Height: 0.31 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: German
Dieses Buch befasst sich mit der Weiterentwicklung und Analyse von zylindrischen FETs mit verspanntem Kanal und zylindrischem Gate (CGAA - cylindrical gate-all-around). Die Studie untersucht ein Design im Nanoma stab, das drei ultradünne verspannte Schichten enthält: zwei äu ere Schichten aus verspanntem Silizium (s-Si) und eine mittlere Schicht aus verspanntem Silizium-Germanium (s-SiGe), die eine Heterostruktur auf einem Isolator (HOI) innerhalb des CGAA-FETs bilden. Diese verspannten Schichten im Kanal schränken Quantenladungsträger wirksam ein, wodurch die Ladungsträgerbeweglichkeit erhöht und der Schwellenspannungsabfall verringert wird.

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