• Open Daily: 10am - 10pm
    Alley-side Pickup: 10am - 7pm

    3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
    612-822-4611

Open Daily: 10am - 10pm | Alley-side Pickup: 10am - 7pm
3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
612-822-4611
Badanie optymalnej konstrukcji urządzeń rekonfigurowalnych w nanoskali

Badanie optymalnej konstrukcji urządzeń rekonfigurowalnych w nanoskali

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 6202473169
ISBN13: 9786202473163
Publisher: Wydawnictwo Nasza Wiedza
Published: Jun 26 2025
Pages: 60
Weight: 0.21
Height: 0.14 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Polish
Celem projektowania SiNWFET z wykorzystaniem podwójnego spaceru k jest zmniejszenie SCE i zwiększenie stosunku prądu wlączenia do prądu wylączenia. Proponowane urządzenie skutecznie lączy różne mechanizmy obniżania subthreshold swing (SS). Dzięki zastosowaniu spacerów i zlącza Schottky'ego uzyskujemy bardziej wydajny system, który poprawia parametry konstrukcyjne urządzenia, takie jak gęstośc elektryczna, potencjal i rezystancja. Wyniki naszych symulacji pokazują, że chociaż przekladka o wysokim wspólczynniku κ poprawia wydajnośc urządzenia, taką jak ION, S/S, to wydajnośc urządzenia ulegla poprawie i zmniejszyly się straty. W istniejącym SiNWFET zmniejszenie grubości tlenku bramki nie jest dobrym pomyslem, ponieważ powoduje to zmniejszenie stosunku prądu wlączenia do prądu wylączenia, chociaż S/S pozostaje w większości niezmienione. W normalnym FET bez przekladki ma on wysoki prąd wylączenia i zwiększony efekt krótkiego kanalu. W istniejącym urządzeniu prąd wylączenia jest większy, a wydajnośc również zmniejszona. Przegląd, synteza i przeprowadzenie analizy literatury są rzeczywistymi miernikami standardowej lub podyplomowej próby przeglądu literatury. Dobrze zorganizowany i sformulowany przegląd najlepiej pokaże wklad i ramy dobrej metodologii.

Also from

S. Murti Sarma, N.

Also in

Technology & Engineering