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Investigação do design ideal em dispositivos reconfiguráveis em nanoescala

Investigação do design ideal em dispositivos reconfiguráveis em nanoescala

S. Murti Sarma, N.
Sathyanarayana, Ch
Sandhya Rani, K.

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 620247324X
ISBN13: 9786202473248
Publisher: Edicoes Nosso Conhecimento
Published: Jun 26 2025
Pages: 60
Weight: 0.21
Height: 0.14 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Portuguese
O objetivo do design do SiNWFET utilizando espaçador duplo k é reduzir o SCE e aumentar a relação corrente ligada/desligada. O dispositivo proposto combina eficazmente diferentes mecanismos de redução do sub threshold swing (SS). Ao utilizar espaçadores e junção schottky, obtemos um sistema mais eficiente para melhorar as métricas de design, como densidade elétrica, potencial e resistência do dispositivo. Os resultados da nossa simulação mostram que, embora o espaçador high-κ melhore o desempenho do dispositivo, como ION, S/S, o desempenho do dispositivo melhorou e reduziu as perdas. No SiNWFET existente, reduzir a espessura do óxido de porta não é uma boa ideia, pois causa uma redução na relação de corrente ON-OFF, embora o S/S permaneça praticamente inalterado. Em um FET normal sem espaçador, há alta corrente off e aumento do efeito de canal curto. No existente, a corrente off é maior e o desempenho também é reduzido. A revisão, síntese e condução da literatura são métricas reais de uma tentativa padrão ou de pós-graduação de revisão da literatura. Uma revisão bem organizada e formulada dará a melhor luz sobre a contribuição e a estruturação da boa metodologia.

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